光催化氧化反应器,光化学反应仪设计综述
    摘要:光催化氧化反应器,光化学反应仪设计综述

光催化氧化反应器,光化学反应仪设计综述?

光化学反应仪主要用于研究气相或液相介质、固定或流动体系、紫外光或模拟可见光照、以及反应容器是否负载TiO2光催化剂等条件下的光化学反应。具有提供分析反应产物和自由基的样品,测定反应动力学常数,测定量子产率等功能,广泛应用化学合成、环境保护以及生命科学等研究领域

光化学、干膜、曝光及显影制程术语手册1、Absorption领受,吸入

指被领受物会进入主体的内部,是一种化学式的吸入步履。如光化反映中的光能领受,或板材与绿漆对溶剂的吸入等。还有一近似词Adsorption则是指吸附而言,只附着在主体的概略,是一种物理式的亲和吸附。

2、Actinic Light(or Intensity,or Radiation)有用光

指用以完成光化反映各类光线中,其最有用波长规模的光而言。例如在360~420 nm波长规模的光,对偶氮棕片、浅显吵嘴底片及重铬酸盐感光膜等,其等反映均最快最完全且功用最大,谓之有用光。

3、Acutance解像尖锐度

是指各类由感光编制所取得的图像,其线条边缘的尖锐景象抽象(Sharpness),此与解像度Resolution不合。后者是指在必定宽度距离中,可以了了的显像(Develope)解出若干良多多少组“线对”而言(Line Pair,系指一条线路及一个空间的组合),普简易称只说解出机条“线”而已。

4、Adhesion Promotor附出力增进剂

多指干膜中所添加的某些化学品,能促使其与铜面发生“化学键”,而增进其与底材间之附出力者皆谓之。

5、Binder粘结剂

各类积层板中的接着树脂部份,或干膜之阻剂中,所添加用以“成形”而不致太“散”的接着及组成剂类。

6、Blur Edge(Circle)恍惚边带,恍惚边圈

多层板各内层孔环与孔位之间在做瞄准度搜检时,可把持X光透视法为之。由于X光之光源与其机组均非平行光之机关,故所得圆垫(Pad)之减少回忆,其边缘之解像其实不明锐了了,称为Blur Edge。

7、Break Point出像点,显像点

指制程中已有干膜贴附的“在制板”,于自动保送线显像室上下喷液中遏制显像时,抵达其完成冲洗而闪现出了了图形的“旅程点”,谓之“Break Point”。所经历过的冲洗旅程,以占显像室长度的50~75%之间为好,如斯可以使剩下旅途中的清水冲洗,更能增强断根残膜的成果。

8、Carbon Arc Lamp碳弧灯

晚期电路板底片的翻制或版膜的分娩时,为其曝光所用的光源之一,是在中心迫近的碳精棒之间,施加高电压而发生弧光的拆卸。

9、Clean Room无尘室、洁净室

是一个遭到卖力经管及精采把握的房间,其温度、湿度、压力都可加以调剂,且气氛中的尘埃及臭气已予以消弭,为半导体及细线电路板分娩制造必需的景象抽象。浅显“洁净度”的表达,是以每“立方呎”的气氛中,含有大于0.5μm以上的尘粒数目,做为分级的尺度,又为俭仆成本起见,常只在使命台面上设置部门无尘的景象抽象,以尝试必需的使命,称Clean Benches。

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10、Collimated Light平行光

以感光法遏制回忆转移时,为添加底片与板面间,在图案上的变形走样起见,应采纳平行光遏制曝光制程。这类平行光是经由屡次反射折射,而取得低热量且近似平行的光源,称为Collimated Light,为细线路建筑必需的装备。由于垂直于板面的平行光,对板面或景象抽象中的少许尘埃都很是缓慢,常会忠诚的暗示在所晒出的回忆上,构成许多额定的漏洞错误,反不如浅显散射或漫射光源可以也许自彼此补而消弥,故采纳平行光时,必需还要无尘室的合营才行。此时底片与待曝光的板面之间,已无需再做抽真空的密接(Close Contact),而可间接使用较严重的Soft Contact或Off Contact了。

11、Conformity吻合性,服贴性

完成零件坏配的板子, 为使整片板子外形遭到卖力的呵护起见,再以绝缘性的涂料予以封护涂装,使有更好的信赖性。浅显较高条理的拆卸板,才会用到这类外形贴护层。

12、Declination Angle斜射角

由光源所间接射下的光线,或经各类折射反射过程后,再行射下的光线中,凡闪现不垂直射在受光面上,而与“垂直法线”呈某一斜角者(即图中之a角)该斜角即称Declination Angle。当此斜光打在干膜阻剂边缘所组成的“小孔相机”并经Mylar折光下,会泛起另外一“平行光”之半角(Collimation HalfAngle,CHA)。但凡“细线路”曝光所邃密精彩的“高平行度”的曝光机时,其所呈的“斜射角”应小于1.5度,其“平行半角”也须小于1.5度。

13、Definition边缘传神度

在以感光法或印刷法遏制图形或回忆转移时,所取得的下一代图案,其线路或各导体的边缘,是不是能泛起齐直而又忠于原底片之外形,称为“边缘齐直性”或传神度“Definition”。

14、Densitomer透光度计

是一种对吵嘴底片之透光度(Dmin)或遮光度(Dmax)遏制丈量之仪器,以搜检该底片之劣化水平若何。其经常使用的品牌如X-Rite 369等于。

15、Developer显像液,显影液,显像机

用以冲洗掉未感光聚合的膜层,而留下已感光聚合的阻剂层图案,其所用的化学品溶液称为显像液,如干膜制程所用的碳酸钠(1%)溶液等于。

16、Developing显像,显影

是指感光回忆转移过程中,由母片翻制子片时称为显影。但对下一代像片或干膜图案的闪现作业,则应称为“显像”。既然是由底片上的“影”转移成为板面的“像”,虽然就该当称为“显像”,而不宜再续称底片阶段的“显影”,这是浅而易见的事理。可是业界积非成是习用已久,一时兴不苟且更正。日文则称此为“现像”。

17、Diazo Film偶氮棕片

是一种有棕色阻光膜的底片,为干膜回忆转移时,在紫外光中公用的曝光用具(Phototool)。这类偶氮片即使在棕色的遮光区,也能在“可见光”中透视现实片下的板面景象抽象,比吵嘴底片要便当的多。

18、Dry Film干膜

是一种做为电路板回忆转移用的干性感光薄膜阻剂,还有PE及PET两层皮膜将之夹心呵护。现场施工时可将PE的隔离层撕掉,让中心的感光阻剂膜压贴在板子的铜面上,在经由底片感光后即可再撕掉PET的表护膜,遏制冲洗显像而组成线路图形的部门阻剂,进而可再尝试蚀刻(内层)或电镀(外层)制程,最初在蚀铜及剥膜后,即取得有裸铜线路的板面。

19、Emulsion Side药膜面

吵嘴底片或Diazo棕色底片,在Mylar通明片基(经常使用者有4 mil与7 mil两种)的一个概略上涂有极薄的感光乳胶(Emulsion)层,做为回忆转移的前言对象。当从已有图案的母片要翻照出“光极性”相反的子片时,必需谨遵“药面贴药面”( Emulsion to Emulsion )的基来历根抵则,以消弭因片基厚度而泛起的折光,添加更生画面的变形走样。

20、Exposure曝光

把持紫外线(UV)的能量,使干膜或印墨中的光敏物资遏制光化学反映,以抵达遴选性部门架桥软化的成果,完成回忆转移的手段称为曝光。

21、Foot残足

指干膜在显像今后部份决计留下阻剂,其根部与铜面接触的死角处,在显像时不苟且冲洗干净而残留的余角(Fillet),称为Foot或Cove。当干膜太厚或曝光能量贫乏时,常会泛起残足,将对线宽构成影响。

22、Halation环晕

指曝光制程中领受光照之图案概略,其外缘常组成明暗之间的环晕。成因是光线穿过半通明之被照体而抵达另外一面,受反射折光回到背面来,即泛起混沌不清的边缘地带。

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23、Half Angle半角

此词的正式称号是Collimation Half Angle“平行光半角”。 是指曝光机所射下的“斜光”,抵达底片上回忆图案的边缘,由此“边缘”所发生“小孔拍照机”效应,而将“斜光”扩大成“发散光”其扩大角度的一半,谓之“平行光半角”(CHA),简称“半角”。

24、Holding Time停置时辰

当干膜在板子铜面上完成压膜步履后,需停置15~30分钟,使膜层与铜面之间发生更强的附出力;而经曝光后也要再停置15~30分钟,让已感光的部份膜体,延续遏制完全的架桥聚合反映,以便耐得住显像液的冲洗,此两者皆谓之“停置时辰”。

25、Illuminance照度

指照耀到物体概略的全部“光能量”而言。

26、Image Transfer回忆转移,图像转移

在电路板工业中是指将底片上的线路图形,以“间接光阻”的编制或“间接印刷”的编制转移到板面上,使板子成为零件的互连配线及拆卸的载体,而得以阐扬功用。回忆转移是电路板制程中首要的一站。

27、Laminator压膜机

当阻剂干膜或防焊干膜以热压编制贴附在板子铜面上时,所使用的加热辗压式压膜机,称之Laminator。

28、Light Integrator光能堆集器、光能积分器

是在某一时段内,对物体概略合计其总共所取得光能量的一种仪器。此仪器中含滤光器,可用以除去浅显待测波长之外的光线。当此仪另与计时器合营后,可合计物体概略在按时中所领遭到的总能量。浅显干膜曝光机中都加装有这类“积分器”,使曝光作业加倍切确。

29、Light Intensity光强度

单元时辰内(秒)抵达物体概略的光能量谓之“光强度”。其单元为Watt/cm2,延续一时段中所累计者即为合计光能量,其单元为Joule(Watt?Sec)。

30、Luminance发光强度,耀度

指由发光物体概略所发出或某些物体所反射出的光通量而言。近似的字词尚有“光能量”Luminous Energy。

31、Negative-Acting Resist负性传染激动之阻剂,负型阻剂

是指感光后能发生聚合反映的化学物资,以其所配制的湿膜或干膜,经曝光、显像后,可将未感光未聚合的皮膜洗掉,而只在板面上留下已聚合的阻剂图形,的原始图案相反,这类感光阻剂称之为“负性传染激动阻剂”,也称为Negative Working Resist。反之,能发生感光分化反映,板面的阻剂图案与底片完全不异者,则称为Positive Acting Resis。电路板因解像度(Resolution,陆地用语为“分辩率”)的要求不高,但凡采纳“负性传染激动”的阻剂即可,且也较低价。至于半导体IC、混成电路(Hybrid)、液晶线路(LCD)等则采解像度较好的“正型”阻剂,绝对的其代价也很是贵。

32、Mercury Vaper Lamp汞气灯

是一种不延续光谱的光源,其首要的四五个强峰位置,是调集在波长365~560nm之间。其当光源强度之揭露与能量的施加,在时辰上会稍有后进。且光源熄灭后若需再封锁时,还需求经由一段冷却的时辰。是以这类光源一旦策动后就要延续使用,不宜开开关关。在不用时可采“光栅”的编制做为阻断把握,避免开关次数太多而损及光源的寿命。

33、Newton Ring牛顿环

当光线经由过程不合密度的介质,而其间的距离(Gap,例如气氛)又极薄时,则入射光会与此极薄的气氛间隙发生传染激动,而泛起五彩状齐心圆的环状现象,由因此牛顿所察觉的故称为“牛顿环”。干膜之曝光因系在“不完全平行”或散射光源下遏制的,为添加母片与子片间因光线斜射而构成失真或不忠诚现象,故必需将两者之间的间距尽可以或许予以增添,即在抽真空下密接(Close Contact),使完成药面接药面(Imulsion Side to Imulsion Side)之紧贴,以抵达最好的回忆转移。凡当两者之间尚有残剩气氛时,即暗示抽真空水平贫乏。此种未密接之回忆,必定会发生曝光不良而激发的解像劣化,乃至没法解像的景象抽象。而此残剩气氛所闪现的牛顿环,若用手指去压挤时还会泛起移动现象,成为一种真空水平是不是精采的方针。为了更便当搜检牛顿环是不是仍能移动之景象抽象,最好在曝光台面上方装设一支黄色的灯光,以便于随时搜检是不是仍有牛顿环的具有。上法可以让守旧非平行光型的曝光机,也能揭显露最精采曝光的才调。

34、Oligomer寡聚物

原本意义是指介于已完成聚合的高份子,与原单体之间的“半制品”,电路板所用的干膜中即布满了这类寡聚物。底片“明区”部份所“据有”的干膜,一经曝光后即睁开聚合软化,而耐得住碳酸钠溶液(1%)的显像冲洗,至于未感光的寡聚物则会被冲掉,而泛起遴选性“ 阻剂 ”图案,以便能再延续遏制蚀刻或电镀。

35、Optical Density光密度

在电路板制程中,是指棕色底片上“暗区”之阻光水平,或“明区”的透光 水平而言,浅显以D示之。另外绝对此词的是透光度(Transmittance,T)。 此二种与“光”相关的素质,可用入射光(Incident Light,Ii)及显闪现光(Transmitted light I)两参数表达以下,即:T=I/Ii--------------------(1) D=-log T------------------(2)将(1)式代入(2)中可得:D=-log (I/Ii )-----------(3)现将“光密度”(D),与“透光度”(T),及棕色底片“道德”三者之联系,列表清算于下:(上表中Dmim暗示棕片明区的光密度;Dmax暗示暗区的光密度)分娩线上所使用的棕色片(Diazo),需按时以“光密度检测仪”(见附图)去遏制搜检。一旦察觉道德不良时,应即行交流棕片,以保证曝光应有的水准。此点对防焊干膜的解像精度出格首要。 光密度D T%透光度 棕片道德-------- ---------- --------- 0.00 100.0棕色片明区0.10 79.4的光密度Dmim 0.15 70.8应低于0.15 1.00 10.0 2.00 1.0 3.00 0.1 3.50 0.03 4.00 0.01棕色片暗区4.50 0.0065的光密度Dmax 5.00 0.001应高于3.50

36、Oxygen Inhibitor氧气抑止现象

曝光时干膜会领受紫外线中能量,激发本人配方中敏化剂(Sensitizer)的割裂,而成为活性极高的“安闲基”(Free Radicals)。此等安闲基将再促使与其他单体、不含饱和树脂、及已部份架桥的树脂等遏制周全的“聚合反映”。此反映须而无氧在外形下才补救止,一旦接触氧气后其聚合反映将遭到抑止或搅扰而没法完成,这类氧气所饰演的脚色,即称为“Oxygen Inhibitor”。这就是为什幺当板子在遏制其干膜曝光,和曝光后的停置时辰(Holding Time)内,都不克不及撕掉概略通明护膜(Mylar)的启事了。可是在测验考试干膜之“正片式盖孔法”(Tening)时,其镀通孔中虽然也具有有氧气,为了添加上述Indibitor现象对该孔区干膜后背(与通孔中气氛之接触面)的影响起见,可采纳下述挽救编制:1.在强曝光之光源强度下,使顷刻发生更多的安闲基,以耗费领受掉镀孔中有限的氧气。且组成一层毛病,以防氧气自后背的延续渗入渗出渗出。2.增加盖孔干膜的厚度,使孔口“蒙皮”软膜的背面部份,仍可在Mylar呵护下延续尝试无氧之聚合反映。即使后背较为亏弱结实,在背面已充份聚合而抵达厚度下,仍耐得住短时辰的酸性喷蚀,而完成正片法的外层板(见附图)。不外盖孔法对“无孔环”(Landless)的高密度电路板,则只好“没法度圭表标准圭表尺度”了。这类行进进步前辈高档第(High Eng)电路板,恍如仅剩“塞孔法”一途可行了。

37、Photofugitive感光褪色

软膜阻剂的色估中,有一种非凡的添加物,会使已感光部份的色彩变浅,以便与未感光部份的原色有所辩白,使在分娩线上苟且分辩是不是已做过曝光,而不致弄错再多曝光一次。与此词对应的还有感光后色彩加深者,称者“Phototropic”。

38、Photoinitiator感光启始剂

又称为敏化剂Sensitizer,如昆类(Quinones)等染料,是干膜领受感光能量后首先睁开步履者。当此剂领遭到UV的欣喜后,即快速分化成为安闲基(Radicals),进而激起各式连锁聚合反映,是干膜配方中之首要成份。

39、Photoresist Chemical Machinning(Milling)光阻式化学(铣刻)加工

用感光成像的编制,在薄片金属上组成遴选性的两面感光阻剂,再遏制双面铣刻(镂空式的蚀刻)以完成所需邃密紊乱的名堂,如积体电路之脚架、果菜机的主体滤心滤网等,皆可采PCM编制建筑。

40、Photoresist光阻

是指在电路板铜面上所附着感光成像的阻剂图案,使能进一步尝试遴选性的蚀刻或电镀之使命。经常使用者有干膜光阻及液态光阻。除电路板外,其他如微电子工业或PCM等也都需用到光阻剂。

41、Point Source Light点状光源

当光源远比被照体要小,而且小到极小;或光源与被照体相距极远,则从光源到被照体概略就职何一点,其各光线之间几近成为平行时,则该光源称为“点状光源“

42、Positive Acting Resist正性型光阻剂

有指有光阻的板面,在底片明区涵盖下的阻层,遭到紫外光能的欣喜而发生“分化反映”,并经显像液之冲洗而被“除去”,只在板上决计留下“未感光”未分化之部份阻剂。这类因感光而分化的阻剂称为“正性光阻剂”,亦称为Positive Working Resist。但凡这类“正性光阻”的原料要比负性光阻原料贵的良多,因其解像力很好,故浅显多用于半导体方面的“晶圆”制造。比出处于电路板外层的细线路组成,逐渐有采取“正片法”的间接蚀刻(Print and Etch)流程,以俭仆工序及添加锡铅的净化。是以干膜盖孔及油墨塞孔皆被试用过,前者对“无环”(Landless)或孔环太窄的板类,将遭到限制而良品率着落,后者油墨不单手续省事,且得胜率也很高。是以“正性的电着光阻”(Positive ED),就将应运而生。今朝此法已在日本NEC公司上线量产,因可在孔壁上组成呵护膜,故能间接遏制线路蚀刻,是极为行进进步前辈的做法。

43、Primary Image线路成像

此术语原用于网版印刷制程中,现亦用于干膜制程上,是指内外层板之线路图形,由底片上经由干膜而转移于板子铜面上,这类专做线路转移的使命,则称为“低级成像”或“主成像”,以示与防焊干膜的辩白。

44、Radiometer辐射计,光度计

是一种可检测板面上所受照的UV光或射线(Radiation)能量强度的仪器,可测知每平方公分面积中所取得光能量的焦耳数。此仪并可在高温保送带上使用,对电路板之UV曝光机及UV软化机都可加以检测,以保证作业之道德。

45、Refraction折射

光线在不合密度的介质(Media)中,其行进速度会纷歧样,是以在不合介质的交壤面处,其行进标的手段将会点窜,也就是发生了“折射”。电路板之回忆转移工程不管是采网印法、感光成像的干膜法,或槽液式ED法等,其各类通明载片、感光乳胶层、网布、版膜(Stencil)等皆以不合的厚度合营成为转移对象,故所得成像与真正设想者若干良多多少会有些差异,启事之一就是来自光线的折射。

46、Refractive Index折射率

光在真空中遏制速度,除以光在某一介质中的速度,其所得之比值即为该介质的“折射率”。不外此数值会因入射光的波长、景象抽象温度而有所不合。最经常使用的光源是以20℃时“钠灯”中之D线做为尺度入射光,暗示编制是20/D。

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47、Resist阻剂,阻膜

指欲遏制板面湿制程之遴选性部门蚀铜或电镀措置前,应在铜面上先做部门点缀之正片阻剂或负片阻剂,如网印油墨、干膜或电着光阻等,统称为阻剂。

48、Resolution解像,解像度,解析度

指各类感光膜或网版印刷术,在采纳具有2 mil“线对”(Line-Pair)的非凡底片,及在有用光曝光与切确显像(Developing)后,于其1 mm的长度中所能了了闪现最多的“线对”数,谓之“解像”或“解像力”。个中心谓“线对”是指“一条线宽合营一个间距”,庞杂的说Resolution就是指回忆转移后,在新翻制的子片上,其每公厘间所能取得精采的“线对数”(line-pairs/mm)。陆地业界对此之译语为“分辩率”,普简易称的“解像”均很少触及界说,只是一种斗劲性的说法而已。

49、Resolving Power解析力,解像力(分辩力)

指感光底片在其每mm之间,所能取得等宽等距(2 mil)解像精采的“线对”数目。但凡卤化银的吵嘴底片,在精采平行光及切确的母片下,约有300 line-pair/mm的解析力,而份子级偶氮棕片的解像力,则数倍于此。

50、Reverse Image负片气像(阻剂)

指外层板面镀二次铜(线路铜前,于铜面上所施加的负片干膜阻剂图像,或(网印)负片油墨阻剂图像而言。使在阻剂之外,决计空出的正片线路区域中,可遏制镀铜及镀锡铅的操作。

51、Scum通明残膜

是指干膜在显像后,其未感光软化之区域该当被完全冲洗干净,而闪现干净的铜面以便遏制蚀刻或电镀。若依然残留有少许呈通明状的干膜残屑时,即称之为Scum。此种漏洞错误对蚀刻制程会构成各式的残铜,对电镀也将构成部门针孔、一般或附出力不良等错误谬误。搜检法可用5% 的氯化铜液(插足少许盐酸)算作试剂,将干膜显像后的板子浸于个中,在一分钟之内即可检测出Scum的具有与否。因干净的铜面会即刻反映而酿成暗灰色。但留有通明残膜处,则将依然闪现鲜红的铜色。

52、Side Wall侧壁

在PCB工业中有两种寄义,其一是指显像后的干膜反面,从微观上所看到是不是竖立的景象抽象;其二是指蚀刻后线路两反面的竖立外形,或所发生的侧蚀景象抽象若何,皆可由电子显微镜或微切片上得以了了查询拜访。

53、Soft Contact轻触

光阻膜于曝光时,须将底片慎密压贴在干膜或已软化之湿膜概略,称为Hard Contact。若改采平行光曝光装备时则可没需求紧压,称为Soft Contact。此“轻触” 有别于高度平行光自动连线之非接触(Off Contact)式驾空曝光。

54、Static Eliminator静电消弭器

电路板系以无机树脂为基材。常在制程中的某些磨刷使命时会发生静电。故在清洗后,还须遏制除静电的使命,才不致吸附尘埃及杂物。浅显分娩线上均应设置有各类除静电拆卸。

55、Step Tablet阶段式(光密度)曝光表

是一种窄长条型的软性底片,按光密度(即遮光性)的不合,由浅到深做成阶段式曝光尝试用的底片,每“段格”中可透过不合的光量,然后,将之压覆在干膜上,只需经一次曝光即可以让板边狭长形各段格的干膜,取得不合水平的感光聚合反映,找出曝光与后续显像(Developing)的各类对应条件。是干膜制程的现场经管对象,又称为Step Scale、Step Wedge等。经常使用者有Riston 17、Stouffer 21、Riston 25、等各类“阶段表”。

56、Tenting盖孔法

是指把持干膜在外层板上做为抗蚀铜阻剂,遏制正片法流程,将可省去二次铜及镀锡铅的省事。此种连通孔也点缀的干膜施工法,称为盖孔法。这类盖孔干膜犹如大鼓之上下两片蒙皮浅显,除可呵护孔壁不致受药水报仇冲击外,并也能护住上下两板面待组成的孔环(Annular Ring)。本法是一种简化适用的正片法,但对无环(Landless)有孔壁的板子则力所不及也。原文选词开初并未想到鼓的“蒙皮”,而只想到“帐棚”,故知原文本已不够传神,而部份熟行人竟按其发音译为“天顶法”其实匪夷所思不知所云。陆地业界之译名是“粉饰法”及“孔粉饰法”。

57、Transmittance透光率

当入射光(Incident Light)抵达物体概略后,将泛起反射与透射两种因应,其透光量与入射光量之比值称为“透光率”。

58、Wet Lamination湿压膜法

是在内层板遏制干膜压合的操作中,也同时在铜面上施加一层薄薄的水膜,让“感光膜”吸水后发生更好的“流动性”(Flow)。对铜面上的各类一般,阐扬更深切的填平才调,使感光阻剂具有更好的吻合性(Conformity),提升对细线路蚀刻的道德。而所泛起过剩的水膜在热滚轮挤压的顷刻,也快速被挤走。此种对无通孔全平铜面的新式加水压膜法,称为Wet Lamination。PCM Photoresisted Chemical Machining;光阻式化学加工(亦做Photoresist Chemical Milling光阻式化学铣镂)是在金属薄片(如不锈钢)两面施加光阻,再遏制部门性慎密蚀透镂空之手艺。

JTONE系列光化学型号:JT-GHX-ACJT-GH?X-AJT-?GHX-DCJ?TGHX-DJT-G?HX-BCJ?T-GHX-B

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    收录时间:2015年09月16日 22:18:41 来源:杭州聚同电子有限公司 作者:匿名
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